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第三代半導體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結工藝進展

20世紀90年代初興起了一種新的靶材燒結方法-常壓燒結法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進行燒結，通過對燒結過程中各因素的控制，來有效控制ITO素坯晶粒的生長，從而達到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對粉末的燒結活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材，國內只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術方案中，將粒...

等離子增強化學氣相沉積爐主要包含以下三個基本過程

等離子增強化學氣相沉積爐（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來，采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物；其二，各種活性基團向薄膜生長...

ITO靶材燒結工藝

ITO(氧化銦錫)是制備ITO導電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導電薄膜，其性能是決定導電玻璃產(chǎn)品質量、生產(chǎn)效率、成品率的關鍵因素。ITO靶材性能的重要指標是成分、相結構和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10(質量比)，在ITO靶材的生產(chǎn)過程中必須嚴格控制化學氧含量及雜質含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對經(jīng)過低溫熱脫脂和燒結后工藝處理得...

ITO靶材應用及發(fā)展前景

氧化銦錫(ITO)晶體結構氧化銦錫(ITO)是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦結構是常見的In2O3結構，如圖1所示。當將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導體得以產(chǎn)生，其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了，導致ITO晶格中出現(xiàn)大量點缺陷，同時產(chǎn)生大量自由電子，點缺陷和自由電子可充當電場下的載流子，因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導電...

分析真空燒結爐的故障現(xiàn)象、故障原因和處理辦法

真空燒結爐是一款特別適合硬質合金行業(yè)的性能智能化電爐。該燒結爐是一種間歇式氣體（真空）保護爐，按照燒結工藝時間的需要可以單套電源配置多臺電爐，分別對單個爐子進行通電升溫和段電降溫，實現(xiàn)連續(xù)工作。那么該設備在日常中應該如何檢修？出現(xiàn)故障后又應該如何進行有效的處理？下面請跟隨皓越一起來學習吧！真空燒結爐的日常檢修：1、對有氣鎮(zhèn)功能的其空泵，應在每日開爐前檢查并根據(jù)需耍開啟30min，以排除泵油中的水分。2、經(jīng)常檢查冷卻水、壓縮空氣、液壓系統(tǒng)的壓力以及冷卻水的流動情況。3、對爐門的...

AZO靶材 熱壓制備工藝

透明導電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節(jié)能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發(fā)光二極管等領域，被作為智能窗口材料、加熱導體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導電電極等而得到廣泛的應用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應的復合多元化合物半導體材料。電子工業(yè)的飛速發(fā)展對透明導電...

真空燒結爐的主要優(yōu)點有哪些你是否清楚？

真空燒結爐是一種瓷坯在真空條件下燒結的方法，氧化物陶瓷坯體的氣孔中含有的水蒸氣、氫、氧等氣體在燒結過程中借溶解、擴散沿著坯體晶界或通過晶?？蓮臍饪字幸莩?。但其中的一氧化碳、二氧化碳，特別是氮，由于溶解度較低，不易從氣孔中逸出，致使制品內含有氣孔，致密度下降。如將坯體在真空條件下燒結，則所有氣體在坯體尚未*燒結前就會從氣孔中逸出，使制品不含氣孔，從而提高制品的致密度。在高溫和一定的真空度下，使具有一定形狀的陶瓷坯體經(jīng)物理化學過程變?yōu)橹旅?、堅硬、體積穩(wěn)定、具有一定性能的燒結體。物...